نمونه ترجمه تخصصی انگلیسی به فارسی مقاله برق با موضوع نانو الکتریک - سفارش آنلاین ترجمه تخصصی - ترجمه مقاله | آمارد ترجمه
شنبه ۳۱ تیر ۹۶
new translation order

amrdtarjome telegram channel

amrdtarjome telegram support
محاسبه فوری هزینه ترجمه
شما میتوانید با انتخاب زمینه و زبان ترجمه و وارد نمودن تعداد کلمات متنی که باید ترجمه شود، هزینه و زمان تحویل ترجمه را بدست بیاورید.
زمینه: زبان: تعداد کلمه:

نمونه ترجمه تخصصی انگلیسی به فارسی مقاله برق با موضوع نانو الکتریک



نمونه ترجمه تخصصی انگلیسی به فارسی مقاله برق


   موضوعنانو الکتریک 


کد مترجم:934



شما می توانید نمونه ترجمه تخصصی ذیل را مطالعه نمایید. در صورت رضایت از کیفیت ترجمه انگلیسی به فارسی  در هنگام ثبت سفارش می توانید در فرم ثبت سفارش ترجمه در سایت ترجمه آمارد ترجمه کد ارجاع به مترجم فوق را وارد نمایید


---------------------------------------------------------------------------------------------------

متن اصلی



Intel’s co-founder Gordon Moore hypothesized that the transistor number would double every couple of years. Hence device scaling became inevitable. But soon researchers realized that there is a limit to scaling these silicon MOSFETs. Currently, Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFET) as an alternative are slowly replacing silicon MOSFETs. But the way we know exact circuit level equations for MOSFETs, we know only abstract model equations for carbon nanotubes. In this paper we aim to simulate certain parameters of the CNTFET when the diameter and gate insulator thickness is changed. This would help to predict the device performance and thus in the future help to build complex circuits consisting of CNTFETs Parameters like, mobile charges, drain currents etc with changing diameter of the anotubes and gate insulator thickness are studied.

 


ترجمه



بنیانگذار شرکت گوردون مور اینتل تصور کرده بود که تعداد ترانزیستورها در هر چند سال دو برابر خواهد شد. از این رو، مقیاس‌گذاری دستگاه تبدیل به امری اجتناب‌ناپذیر شد. اما به زودی محققان متوجه شدند که محدودیتی در مقیاس‌گذاری MOSFETهای سیلکونی وجود دارد. در حال حاضر، ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله‌ای کربنی (CNTFET) بعنوان جایگزینی برای MOSFET های سیلیکونی می‌باشند. اما راهی که ما آنرا بعنوان معادلات سطح مداری دقیق برای MOSFETها می‌شناسیم فقط معادلات مدل انتزاعی برای نانولوله‌های کربنی می‌باشند. در این مقاله، هدف ما، شبیه سازی پارامترهای خاص CNTFET در هنگامی است که ضخامت عایق گیت (دریچه‌ها) و قطر تغییر می‌کند. این امر به پیش‌بینی عملکرد دستگاه کمک خواهد کرد و در نتیجه، در آینده به ساخت مدارهای پیچیده متشکل از CNTFET ها کمک خواهد کرد. پارامترهایی همانند، بارالکتریکی متغیر، جریان تخلیه و غیره  به همراه تغییر قطر نانو لوله ها و ضخامت عایق گیت مورد مطالعه قرار گرفته است.

"هزینه خدمات ترجمه تخصصی انگلیسی به فارسی"

"هزینه خدمات ترجمه تخصصی فارسی به انگلیسی"




یا 



Link: http://amardtarjome.com/news/نمونه-ترجمه-تخصصی-انگلیسی-به-فارسی-مقاله-برق-با-موضوع-نانو-الکتریک1.html

دیدگاه کاربران

ارسال دیدگاه

نام و نام خانوادگی :
دیدگاه شما :
کد امنیتی : کدی که در تصویر میبینید را وارد نمایید
* آمارد ترجمه هیچگونه مسئولیتی نسبت به دیدگاه های کاربران ندارد.