مقاله انگلیسی ترجمه شده مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS نانومتری - سفارش آنلاین ترجمه مقاله | ترجمه تخصصی | آمارد ترجمه
پنجشنبه ۲۸ شهریور ۹۸
new translation order

amrdtarjome telegram channel

amrdtarjome telegram support
محاسبه فوری هزینه ترجمه
شما میتوانید با انتخاب زمینه و زبان ترجمه و وارد نمودن تعداد کلمات متنی که باید ترجمه شود، هزینه و زمان تحویل ترجمه را بدست بیاورید.
زمینه: زبان: تعداد کلمه:

مقاله انگلیسی ترجمه شده مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری


 از مجموعه مقالات فروشگاه آمارد ترجمه

عنوان مقاله انگلیسی : ” New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology”

عنوان مقاله ترجمه شده به فارسی: مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

 

"دانلود رایگان مقاله انگلیسی

ترجمه رایگان چکیده مقاله:

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل ۲۳% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

Link: https://amardtarjome.com/news/مقاله-انگلیسی--ترجمه-شده-مهندسی-برق-با-عنوان-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-CMOS-65-نانومتری5.html

دیدگاه کاربران

ارسال دیدگاه

نام و نام خانوادگی :
دیدگاه شما :
کد امنیتی : کدی که در تصویر میبینید را وارد نمایید
* آمارد ترجمه هیچگونه مسئولیتی نسبت به دیدگاه های کاربران ندارد.