نمونه ترجمه متن انگلیسی به فارسی مکانیک

موضوع: پنلهای خورشیدی 

 کد مترجم: 806

شما می توانید نمونه ترجمه تخصصی ذیل را مطالعه نمایید. در صورت رضایت از کیفیت ترجمه در هنگام ثبت سفارش می توانید در فرم ثبت سفارش کد ارجاع به مترجم فوق را وارد نمایید

---------------------------------------------------------------------------------------------------

متن اصلی

ترجمه

 توصیف ما از نوارهای ممنوعه  و تولید حامل¬ها در سلول¬های خورشیدی ارائه شده در فصول قبل، بخش مهمی از اطلاعات را از قلم انداخته است و آن تفاوت میان یک نوار ممنوعه مستقیم و غیر مستقیم است. ما در تصویر اصلی خود تنها تغییر در انرژی را مد نظر قرار دادیم که برای ارتقای یک الکترون به نوار رسانش  لازم است اما در برخی مواد مانند Si، الکترون باید تکانه و همچنین انرژی خود را به منظور انجام این پرش تغییر دهد. بدان معنا که الکترون هم باید انرژی را از یک فوتون جذب کند و سپس از طریق یک فونون، تکانه را به سرعت با شبکه بلور مبادله کند. احتمال این دو رویداد به طور همزمان بسیار کمتر از احتمال برهم¬کنش   الکترون-فوتون است. بنابراين، فوتون به طور كلي قبل از ايجاد يك جفت حامل، بسيار دورتر، به مواد گاف باند (شکاف باند) غير مستقيم نفوذ مي كند. در نتیجه یک سلول خورشیدی Si بایستی در حدود 100 میکرون ضخامت داشته باشد تا جذب کامل نور امکان پذیر شود (و سلول¬های واقعی حتی به خاطر الزامات تولید، ضخیم تر از این هستند).

از سوی دیگر GaAs دارای شکاف باند مستقیم است. این امر برای سایر کاربردهای الکترونیکی نیز مفید است اما برای سلول¬های خورشیدی، این بدان معنی است که جذب بسیار قوی¬تر از Si است. این اجازه می¬دهد سلول ها بسیار نازک تر باشند – تا ضخامت چند میکرومتر در طرح های معمولی که حتی در سلول¬های جدیدتر با کنترل نور بهینه تر نازک تر است. این ریشه یک استدلال قدیمی برای GaAs به عنوان یک ماده فتوولتائیک  است که بسیار گرانتر از سیلیکون است، اما برای ساخت یک سلول بسیار کمتر مورد استفاده قرار می¬گیرد. این در اصل باعث می شود استفاده از یک ماده گران تر برای دستیابی به رفتار ایده آل، معقول و منطقی به نظر آید.

ثبت سفارش ترجمه تخصصی